特点

• 基板尺寸：最多可支持G6大小的基板尺寸。
• 快速升降温：升降温速度可达每分钟20 ℃。
• 小型/密封性能良好的炉膛：采用本公司独创的炉膛设计，可在短时间内到达低氧状态（100 ppm以下），从而缩短工艺时间。
• 均匀的温度分布：经过计算后在Slot间和壁面配置的加热器也进行区块控制，恒温及升降温时均可抑制面内温度分布的误差。
• 洁净度：最高可达到美国联邦空气洁净度标准Class10，产生的颗粒物非常少。
• 独创的气体控制技术：输送气体时使用预热器，不会扰乱温度分布，并且采用本公司独创的炉膛内气体控制技术（层流 laminar flow），可从炉膛内切实排出工艺过程中产生的无用气体及升华物。
• 基板支撑：各槽口内设有基板支撑部件，可妥善支撑热处理的玻璃基板，以避免背面出现损伤等缺陷。
• 升华物应对：本公司也提供针对Flexible Pi Curing等大量产生升华物（粘结剂）的工艺增设功能的MF系列产品。

用途

・LTPS Backplane 适用的Activation、Dehydrogenation及Cotact,Passivation,Metal等的Aneal
・IGZO Aneal
・Flexible Pi Curing
本公司拥有FPD适用的高温工艺评估用实验设备，可接受实验，以应对客户的各种需求。敬请垂询。